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香港第三代半導體中試生產線料明年通線分享到：
      香港中通社1月27日電 香港微電子研發院行政總裁高騰在27日發表的報章專訪中表示，研發院正全力設立兩條第三代半導體中試生產線，分別聚焦碳化硅和氮化鎵材料，預計在明年上半年通線並開始運作。
高騰在接受香港《文匯報》訪問時指出，中試線是微電子產業流程中連接創新研究與量產之間的關鍵環節，科研產品必須經過中試線的測試認證方可投入量產。不過，由於其高投入和高成本，非一般企業所能承擔，導致微電子設計往往未能快速商品化，優勢無法完全發揮。 他表示，兩條中試線將填補中試缺口縫隙，為香港做好連接創新研究與量產的橋樑，以滿足企業和大學的中試需求，助力科研成果更快商業化、產品化。這兩條中試線將具備小量產能力，並按照量產線的規範要求來建設和管理。 高騰透露，預期廠房可於今年底完成建設，並於明年上半年完成中試線組裝和配套準備，隨後便可通線，開展創新工藝研發。 此外，新成立的研發院亦會積極“搶人才”，料將聘用200人，當中170名是科研人員，要求較多的產業經驗。高騰直言，這方面香港本地人才相對偏少，所以會進行全球招聘。現時，他已與多個潛在人選進行接觸。 香港特區政府公布的《香港創新科技發展藍圖》中，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港新型工業化。政府亦會大力支持先進製造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進製造生產線。（完） 相關新聞
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